去耦电容还可以为器件局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以基带滤波功能(带宽受限)。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易。所以关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。频域分析必须与时域、数字信号或逻辑通道保持严密的同步。频谱分析对调试工作的价值通常取决于分析速度(更新速度)，因此信号的捕捉和发现极富挑战性。此外，仪器还必须具备足够高的频域和时域灵敏度，以便能够捕捉到信号，如因电磁干扰或其它干扰所产生的频域杂散信号等微小信号。为了获得可以用来调试支持多种信号类型的复杂系统的有价值信息，必须基于时间事件、频率事件或数字码型实现触发。快速傅立叶变换任何信号都是关于时间和幅值的函数。

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湖南盈能电力科技有限公司建有科技大楼、研发中心、自动化公区及标准生产车间，生产线配备了 的试验设备，制定了系统发软件、通讯协议安全可靠，性能测试稳定，并与国内大学单片机中心组成为产学研联合体。盈能电力主要分为四大生产事业部运营：电气自动化事业部、高压电器事业部、智能仪表事业部、低压电器事业部。公司现拥有多名 工程师，几 技术人才，近百名生产员工。 yndl1381

取用时，若瓶塞顶是扁平的。可将瓶塞倒置分析台上，若瓶塞顶不是扁平的，可用食指和中指将瓶塞夹持或放在清洁干燥的表面皿上，严禁将瓶塞横置在分析台上；对固体试剂应用干净的勺取用，若试剂结块，可用洁净干燥的粗玻璃棒或专用不锈钢将其捣碎后再取。取出试剂后，应立即盖紧瓶塞，以防搞错瓶塞，污染试剂。用过的勺和玻璃棒必须及时洗净。一般固体试剂可在干净的蜡光纸上称量，具有腐蚀性，强氧化性或易潮解的固体试剂应在下班器皿内称量，绝不能用滤纸来称量。如何可靠地校准这些校准器，保证可靠地量值溯源性，是一项技术性很强的工作。目前国内各有些校准实验室在校准这些校准器的工作中，还存在一些问题。有时候，其校准不确定度并不能满足技术要求。本文对这些问题了分析，并提出了解决方法。存在的问题校准仪器时，有一个 基本的要求，就是要求被校仪器的不确定度远大于校准标准的不确定度。它们之间的比率称为不确定度比率TUR。一般要求TUR至少大于4:1或者3:1。达到要求，可以展校准或检定；达不到要求，只能进行仪器间的比对测量。

放置于室外的传感器端子箱有可能受到雷电接触放电；位于机房内的DCS机柜有可能受到大楼立柱泄流时的空气放电。信号线端口（含天馈线、数据线、控制线等）在控制系统中,为了实现信号或信息的传递总要有与外界连接的部位,如过程控制系统的信号交接端的总配线架、数据传输网的终端、微波设备到天线的馈线口等等，那么这些从外界接收信号或发射信号出去的接口都有可能受到雷电浪涌冲击。因为从楼外信号端口进来的浪涌往往通过长电缆，所以采用10/700μs波形，标准规定线到线间浪涌电压为0.5kV，线到地间浪涌电压为1kV。