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由于数值模拟了一个近似真实的过程。情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中。构成新一代高频关电源。采用移相全桥软关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3，计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机。加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器配备大屏幕触摸式HMI人机界面。双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2。
然而，随着温度的升高，硅的电阻率急剧下降, 在873k左右时减小到5Ω此时Si才达到了电磁悬浮熔炼的基本要 Ω·m与金属相当。试验中使用石墨坩埚预热硅试样873K左右，使工业硅的电磁感应熔炼成为可能。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，