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进一步地，所述侧反射屏6、下反射屏7为钨钼反射屏或者钨反射屏。钨钼反射屏中钨的质量占比50％。相比钼反射屏，钨钼反射屏和钨反射屏高温挥发的可能性更低，更加不容易产生挥发物沉积。

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主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2，加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等率器件。配以高频变压器，构成新一代高频关电源。采用移相全桥软关（ZVS）及CPU控制技术。加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机提高了电能转换效率。不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度温度分布合适的热场一定要根据生长设备利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。质量要求的好法。面向过程的软件FEMAG为用户了可以深入研究的数值工具，用户通过有效的计算机模拟可以设计和优化工作流程。