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本研究采用真空感应熔炼方法直接由工业硅制得多晶硅锭。真空感应熔炼是一种洁净的熔炼方法，可以防止坯料在熔化过程中的氧化，而且能有效地去除工业

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主机部分：机架单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。 单晶炉方案：装置采用模块化设计，微机控制，内置自适应能力较强的模糊PID控制算法，具有控制参数自动调节、显示，可通过按键设定初值，系统异常可自动声光告等新功能，即从整体上提高温控系统的智能化程度和控制精度，加快参数调节的响应速度，使整个生产过程中炉温的变化能快速平滑地跟随工艺曲线变化，装置通用性强，操作上更加简单、可靠。