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单晶炉主要技术指标： 单晶炉加热电源是一种大功率直流电源，要求输出功率lOOkW，输出电压为0-5V可调，输出电流为0-3000A；其输出的能量可直接为单晶炉内的石墨加热器供热，加热温度范围为o～2000℃，控温精度要求达到±5℃；各种信号可自动检测、显示，参数的修改和设定可通过按键进行，以此来满足单晶硅在生长阶段对温度的严格要求。

旧单晶硅 00A，额定绝缘水平（1min工频耐压：相间，相对的95KV，一次隔离断口115KV。雷电冲击耐受电压：相间，相对的185KV，一次隔离断口215KV。辅助控制回路1min工频耐压：2KV）外 0）*2800。主母线额定电流 1250A【配电柜主要技术参数】额定电压40.5KV额定频率 50Hz铠装移式交流金属封闭关设备【产品用途】本关设备适用于3.6～12kV三相交流50Hz单母线及单母线分段系统的成套配电装置。与氩 气输入管12相连通的环形气体分布器11，其特征在于经氩气输入管12 输入的氩气气压为0. 8 x 103Pa0. 9 x 103Pa，氩气流量为30L/min。还包括设于该炉的坩埚支持器14下方和该部的排气口 13之间 的碗形的气流导向装置20，其包括设于气流导向装置20底部的中轴 孔2-l，设于所述中轴孔2-1两侧的一对电极孔2-2。本实施例的直拉式单晶生长炉包括氩气输入管12为现有技术的切克劳斯基(直拉)法硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的氩气输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。具体实施方式以及设于所述中轴孔 2-1两侧并与该炉的排气口 13相对的通气孔2-3，该炉的石墨中轴21穿过所述气流导向装置20的中轴孔2-1，该炉的一对电极柱15分别穿过所述电 极孔2-2，该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通，气 流导向装置20的上端部2-4设于该炉的保温筒17与发热体16之间。