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也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调，线性精度大于±2%。生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时。
容易实现自动控制，生产效率高。直拉法易于大直径单晶引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。通过与浙江大学大学科技园杭州慧翔电液技术发有限合作，共同发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A，TDR80B，TDR8，TDR9型全自动晶体生长炉。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，