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另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤，8～12公斤，15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成。以提高集成度DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸共同进步的减压工艺的设计与调整。

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外部附件在操作装料前，要检查需要装的物料，不放入大块料，先取出，回熔料一样也要拿出来，经过破碎变小之后物料才能正常使用，为了保正常运行进料要求是在一定程度的升高埚位，不允许低位，石英坩埚内壁要注意清洁度，不能用手触摸或者其他接触。选择不能旋转的坩埚。