多晶硅铸锭炉连云港灌南控制屏每台价格双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2，加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等率器件。配以高频变压器，构成新一代高频关电源。采用移相全桥软关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要率因数补偿装置。3。主机部分：机架基本介绍编辑1计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面，高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动CZ法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。进一步地，所述坩埚3、坩埚盖2、上反射屏5和加热器4设有耐高温的温度传感器。蓝宝石在引晶的过程中，对温度的控制极为重要，耐高温温度传感器的设置能帮助操作人员及时了解坩埚3、坩埚盖2、上反射屏5和加热器4的温场，同时坩埚盖2、上反射屏5的中部和加热器4的上部是容易沉积挥发物的位置，有了温度传感器的帮助，操作人员可以在不影响引晶进度的前提下，及时对上述部位的温度进行干预，进而减少挥发物的沉积。

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坩埚提升机构的垂直方向采用了滚珠直线导轨和高精度丝杆，在高负载甚电机断电的情况下实现自锁。坩埚旋转采用可承受高转矩的多碶带驱动，从而了齿形带传动的震颤。旋转密封采用可承受轴向力磁流体密封，垂直密封采用不锈钢波纹管。 坩埚提升机构中直线导轨座和底板成90°固定，两者间采用筋板支撑，从而提高整体的刚度，避免由侧向力矩引起的直线导轨和丝杆的变形。这是单晶炉和拉晶工艺。为了配合di76．Zmm器件生产线的发展，我所研制了国内台15～30公斤的DL。78型单晶炉［‘］，并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺［‘］。在控制大直径硅单晶的过程中，涉及的面比较广，尤其是从我国原有1公斤，th3orum级的基础上跳跃到12公斤，680mm硅单晶的拉制工艺，需要研究讨论的问题很多，例如，热场的设计。