提拉式长晶炉泉山真空泵的电话2，触点的绘制位置。使触点动作的外力方向必须是：当图形垂直放置时为从左到右，即垂线左侧的触点为常触点，垂线右侧的触点为常闭触点，当图形水平放置时为从下到上，即水平线下　　方的触点为常触点，水平线上方的触点为常闭触点。B，如何弄清展图中的部分采用方框画法设备与外部其他部分的连接？先查清方框画法设备的端子编号，然后利用能展示该设备内部接线图的装置说明书或厂家图，在这些图纸中找到往外部连接的端子编号，再与内部回路连接起来，然后通过往外的连接的端子再与外部回路起来。

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这是单晶炉和拉晶工艺。为了配合di76．Zmm器件生产线的发展，我所研制了国内台15～30公斤的DL。78型单晶炉［‘］，并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺［‘］。在控制大直径硅单晶的过程中，涉及的面比较广，尤其是从我国原有1公斤，th3orum级的基础上跳跃到12公斤，680mm硅单晶的拉制工艺，需要研究讨论的问题很多，例如，热场的设计。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。