二手多晶硅长晶炉港闸离子泵附近的电话在操作装料前，要检查需要装的物料，不放入大块料，先取出，回熔料一样也要拿出来，经过破碎变小之后物料才能正常使用，为了保正常运行进料要求是在一定程度的升高埚位，不允许低位，石英坩埚内壁要注意清洁度，不能用手触摸或者其他接触。选择不能旋转的坩埚。新型材料及粉体材料的真空或气氛条件下的热工艺。也用于冶金，机械，轻工，商检，高等院校及科研部门，工矿企业电子陶瓷产品的预烧，烧结，钎焊等工艺。主要功能和特点：1。采用智能化控温系统，移相触发，可控硅控制，炉采用氧化铝多晶纤维材料，保温效果好，双层壳体结构，带有风冷和水冷系统，能快速降温，炉门配有循环水冷，防止密封圈过快老化。产品介绍：SG-XQL1400型箱式真空气氛炉以 硅碳棒为加热元件保炉门与炉胆的可靠密封。主要用途和适用范围\可应用于电子元器件加热元件采用 硅碳棒操作安全可靠可选配通过触摸屏操作的方式对真空系统，充气系统，温控系统进行程序控制，操作简单方便， 无误。坩埚驱动装置，主炉室，翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构，液压驱动装置，真空系统，充气系统及水冷系统。

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具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度温度分布合适的热场一定要根据生长设备利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。质量要求的好法。面向过程的软件FEMAG为用户了可以深入研究的数值工具，用户通过有效的计算机模拟可以设计和优化工作流程。