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发布:2024/5/19 5:20:07

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还有一种特殊情况,若电动机的负载较轻(小于额定负载的40%),则不需较大的负载电流来产生电磁转矩去克服阻力矩,此时定子绕组由三角形接法改为星形接法,由于绕组相电压大大降低,励磁电流明显减少,所以总的定子电流也减小,而电机的功率因数和效率则相应提高。当大马拉小车时,即电机的负载小于额定负载的40%时人为将电机由三角形改为星形,达到节能降耗的目的。以上就是本人的一点经验总结,尤其希望对电工新人有所帮助,共同学习进步。测量方法主要测量步骤如下:试样与衍射光栅的准备工作类似于莫尔干涉仪;在1~5mm之间确敏传感器到光栅的距离L,并输入到计算机软件。不能选择L=25mm;加负荷前的初始试验是测量x1和x2的平均值;对试样加压,测量新的x1和x2的平均值;利用方程计算应变。所有的计算都是由计算机软件自动完成的。接口软件流程是用LabVIEW完成的,包括数据采样、滤波、计算、读出和写入存储器、显示屏等。另外,SSR的性质还与接通时的电流上升率di/dt密切相关。di/dt超过某一值会使SSR的可控硅输出器件损坏。为避免上述浪涌电流对SSR的损坏,可不同程度的降额使用SSR,必要时,可在负载电路中串联电阻,将浪涌电流和可能发生的短路电流限制在SSR所允许的过负载范围内,也可利用快速熔断的丝来保护SSR。对于SSR,特别对交流SSR,电压指数上升率是一个重要参数。这是因为当SSR关断时,若输出端电压上升率超过SSR规定的dv/dt,可能使SSR误接通,严重时会造成SSR的损坏一般SSR规定的dv/dt为100v/us,也有的达200v/us。在测量电流时,应特别注意必须把电路断,将表笔串联在电路中。在测量2500v交流或直流高压电压时,要注意人身安全,测试表笔应该分别插入“2500v”及“一”插孔中。测量电阻时必须将被测电路与电源切断,当电路中有电容存在时必须先将电容进行放电,以免损坏表头。电阻测量时,量程应该选择合适。在测量低电阻时要注意接触电阻,在测量高电阻时(大于10kΩ),应该注意不可以加入并联电路(不应将人手接触表笔的金属部分或电阻器的引线部分)。正接时候,R1VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小, W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜,选NMOS。

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