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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。多台从站建议用时间轮询，内部用功能块触发当你和多个从站通信的时候，站点和站点之间用时间轮询，站点内部用功能块的信号轮询，这样可以大大提高通信的可靠性，既不会太浪费时间，又能确保某一从站出问题而不影响其他从站。图二时间间隔与BUSY信号配合的轮询通信如图二，是plc和两台变频器的通信，红色线上部分是台变频器，红色线下半部分是第二台变频器。蓝色箭头使用时间间隔方法，每个变频器分配30毫秒的时间，而黄色荧光笔是每台变频器的通信扫描。RC相移振荡电路的特点是：电路简单、经济，但稳定性不高，而且调节不方便。一般都用作固定频率振荡器和要求不太高的场合。它的振荡频率是：当3节RC。网络的参数相同时：f0=12π6RC。频率一般为几十千赫。RC桥式振荡电路是一种常见的RC桥式振荡电路。图中左侧的R1C1和R2C2串并联电路就是它的选频网络。这个选频网络又是正反馈电路的一部分。这个选频网络对某个特定频率为f0的信号电压没有相移（相移为0°），其它频率的电压都有大小不等的相移。只是从事PLC程序设计的大部分是工程师，并不具备专业的软件工程训练，因此无法从认知上的到提高。FFDB这些块要实现的，也是软件工程中非常重要的逻辑和数据分离，模型与实例独立的思想，而被封装起来的工艺块，很多也已经是基于面向对象的思考方式编写出来的。掌握软件工程的基本思路和方法，如果有可能，去学习一门 语言，而不是纠缠在各种组态软件、触摸屏的软件使用和所谓的脚本编写上。两相步进电机 简单的构成为Nr=1的情况，电机结构如下图所示。一般两相电机定子磁极数为4的倍数，至少是4。转子为N极与S极各一个的两极转子。定子一般用硅钢片叠压，定子磁极数为4极，相当于一相绕组占两个极，A相两个极在空间相差180°，B相两个极在空间也相差180°。电流在一相绕组内正负流动（此种驱动方式称为双极性驱动），A相与B相电流的相位相差90°，两相绕组中矩形波电流交替流过。即两相电机的定子，在Nr=1时，空间相差90°,时间上电流相差90°相位差，电流与普通的同步电机相似，在定子上产生旋转磁场，转子被旋转磁场吸引，随旋转磁场同步旋转。