江山发电车300KW--【中动电力】
当金属体靠近接近关时，内部的NPN型晶体管导通，X000输入电路有电流流过，电流途径是：24V端子S／S端子PLC内部光电耦合器X000端子接近关0V端子，电流由公共端子（S／S端子）输入，此为漏型输入图b是2线式PNP型无触点接近关的接线它采用源型输入接线，在接线时将S／S端子与0V端子连接，再在接近关的一根线（内部接PNP型晶体管集电极）与0V端子间接人一个电阻R，R值的选取。当金属体靠近接近关时，内部的PNP型晶体管导通，X000输入电路有电流流过，电流途径是：24V端子接近关X000端子PLC内部光电耦合器S／S端子0V端子，电流由输入端子（X000端子）输入，此为源型输入。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。