余姚应急发电机100KW--【中动电力】
场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。


我们通过选择合适的电路元件参数，使其发射结正偏、集电结反偏（Uc＞Ub＞0），那么该电路就工作在放大状态，输入、输出电流满足ic=βib关系，也即集电极电流是基极电流的β倍。设输入为一正弦交流小信号u1（注意是小信号，也即在±0.7v内，如果超过了这个范围会出现饱和失真、截止失真问题），其大小和方向均周期性变化，平均值为零；经过电容C1的耦合后其与原直流偏置电压Ube叠加后变成了脉动直流信号u2，也即u2的波形和u1一样，但u2均为正值即u2＞0，u2的平均电压不在为零，这样的目的是因为发射结导通有一个死区电压，必须抬升电压后才能保证完整的信号输入，否则信号会被削去大部分，造成了严重的失真。