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硅藻土，是被称之为硅藻的单细胞植物死亡后经过1至2万年左右的堆积期，形成的一种化石性的硅藻堆积土矿床。硅藻是 早在地球上出现的原生生物之一，生存在海水或者湖水中。
安森美半导体宽广的符合：EC 4代沟槽场截止IGBT和12V超高速沟槽场截止IGBT，具备更低的损耗和更高的功率密度，以及集成SiC二极管的混合IGBT方案：FGHL5T65SQDC。：双向充电电路图SiC方案降低损耗SiC比硅方案降低关损耗和导通损耗，新的性能水平。安森美半导体投入宽禁带的发近1年，是少数同时具备硅、SiC和氮化镓（GaN）技术的商，针对车载充电应用，汽车级65VSiC二极管（涵盖6：到5：）、12VSiC二极管（涵盖1：到4：）、12VSiCMOSFET（涵盖2到8mΩ）。
这种硅藻土是由单细胞水生植物硅藻的遗骸沉积所形成，这种硅藻的独特性能在于能吸收水中的游离硅形成其骨骸，当其生命结束后沉积，在一定的地质条件下形成硅藻土矿床。它具有一些独特的性能，如：多孔性、较低的密度、较大的比表面积、相对的不可压缩性及化学稳定性，在通过对原土的粉碎、分选、煅烧、气流分级、去杂等工序改变其粒度的分布状态及表面性质后，可适用于涂料油漆添加剂等多种工业要求。