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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。


，所示电路，按瞬时极性法判断。设同相输入端u+有一瞬时增量，则输出uo为，经电阻Rf返送至反相输入端，使u-为，即反馈信号的瞬时极性为。其次，通过比较反馈信号与输入信号的瞬时极性来判断电路引入的是正反馈还是负反馈。当输入信号和反馈信号不在同一节点引入(其中一个节点为基极,另一个节点为发射极，或不同输入端)))如差动放大电路、集成运算放大电路等)时,若两者的瞬时极性相同，则为负反馈；两者的瞬时极性相反，则为正反馈。