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L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。RC电路的时间常数：τ=RC充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时，uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数：τ=L/RLC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)]Io是 终稳定电流LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值；V1为电容 终可充到或放到的电压值；Vt为t时刻电容上的电压值。


场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。