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}}}接下来我们要讨论解析后我们数据存储的问题，其实在资源比较足够的情况下或者能够挤出data区的情况下可以考虑用结构体，我们构造好相应结构体，将接收到的数据存储进去，要应用的时候就十分方便。但这也有个矛盾，一般c51定义的结构体都被存储在data区，一般通讯的字节量大空间必然不够，存在一个矛盾，可以采用联合体union进行存储效果会好一点。当然也可以在保存数据时采用定义在xdata区（片外）的buffer来存储。


但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ib。