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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的电流，功耗为（3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。


下面举集电极调幅电路为例。是集电极调幅电路，由高频载波振荡器产生的等幅载波经T1加到晶体管基极。低频调制信号则通过T3耦合到集电极中。CCC3是高频旁路电容，RR2是偏置电阻。集电极的LC并联回路谐振在载波频率上。如果把三极管的静态工作点选在特性曲线的弯曲部分，三极管就是一个非线性器件。因为晶体管的集电极电流是随着调制电压变化的，所以集电极中的2个信号就因非线性作用而实现了调幅。由于LC谐振回路是调谐在载波的基频上，因此在T2的次级就可得到调幅波输出。