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电容器的技术要求如下：为了节省面积，高压电容器可以分层于铁架上，但垂直放置层数应不多于三层，层与层之间不得装设水平层间隔板，以保证散热良好。上、中、下三层电容器的位置要一致，向外。高压电容器的铁架成一排或两排布置，排与排之间应留有巡视检查的走道，走道宽度应不小于1.5m.3）高压电容器组的铁架必须设置铁丝网遮拦，遮拦的网孔3～4cm2为宜。高压电容器外壳之间的距离，一般不应小于10cm；低压电容器外壳之间的距离应不小于50mm。


对于这种情况，单片机是否会依然置位中断触发标志从而引发中断呢？关于这一点，国内的绝大部分教材以及单片机生产商的器件都没有给予准确的定义，但在实际应用中这种情况确实会碰到。以美国Analog公司生产的运算放大器芯片AD708为例，其转换速率（slewrate）为0.3V/μs,在由AD708芯片组成的比较器电路中，其输出方波的下降沿由2.4V下降到0.7V，所需时间约为：(2.4V-0.7V)/0.3Vμs-1=4.67μs。