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场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。


过载保护过载保护原理可简单表述如下：设电路允许的通过电流为Imin，电流为Imax，保护的器件电流为I，I2表示在规定时间范围内，保护器件有效工作的电流，那么我们可得出公式Imax≤I≤Imin1）I2≤1.45Imin2）值得注意的是，多种因素都会对电流产生一定的影响，如温度、多芯电缆、机床设备的密度等，因此要想机床设备正常工作，必须要确保通过保护器件的电流大于电流，并在大于电流时执行保护。