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下面讨论三相电机的转矩特性，由于其电流波形近似为正弦波，现将细分驱动时的转矩与两相电机比较来看。如增加细分的细分数，电流波形能近似正弦波，磁通的高次谐波的影响更明显。两相电机细分时的转矩磁通是不含高次谐波的正弦波，如式前一篇中的T2=IΦsinδ所示。下图是对其磁通含三次谐波时的细分两相电机与三相电机转矩进行比较。三相电机的各相转矩与两相电机的曲线相同，用下图式1表示。交链磁通能用基波与奇数次高次谐波之和表示（偶数次的高次谐波与线圈交链时会抵消，不会变成交链磁通），基波与三次谐波之和如下图所示。


如有可能，接100uF以上的更好。原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1~10pF的但电容。对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如RAM、ROM存储器件，应在芯片的电源线和地线之间直接接入退藕电容。电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应注意以下两点：在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时，操作它们时均会产生较大火花放电，使用RC电路来吸收放电电流。