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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。


我之所已这样编写，是为了方便，给大家演示。这个是靠时间实现的。我首先分享第二个编写梯形图：我这样用的是ALT指令，交替输出指令，这个比较简单，在我没有给M10上升沿信号的时候，是Y1是吸合的。这是我给了M10上升沿信号，ALT指令输出，M12线圈吸合，然后Y0线圈吸合，Y1线圈失电。大家是实践中的时候，需要吧M10换成想X10，也就是PLC的输入信号。我在所有的编程梯形图里用的都是上升沿编程指大家在实践中，也可以用梯形图的编程指令中下降沿和常触点。