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发布:2024/5/13 8:07:37 来源:13335093736

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如有可能,接100uF以上的更好。原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容,如遇印制板空隙不够,可每4~8个芯片布置一个1~10pF的但电容。对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件,如RAM、ROM存储器件,应在芯片的电源线和地线之间直接接入退藕电容。电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线。此外,还应注意以下两点:在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时,操作它们时均会产生较大火花放电,使用RC电路来吸收放电电流。


θM为产生TM的角度。两相PM型或两相HB型的步距角一致。根据上式,以及《步进电机的基本特性:静态、动态、暂态转矩特性》一问中的式:θL=(2θM/π)arcsin(TL/TM)得知,负载转矩TL决移角θL的大小。由于步进电机的负载决定角位置,因此一定负载转矩TL时,θL越小,角度精度越高。因此希望步进电机静态转矩(保持转矩)TM要大。连续测量TL与θL,就可以得到静态转矩特性曲线。步进电机的静态转矩特性,可以1相激磁,也可以2相激磁,A相与B相1相激磁转矩公式如下式所示,其中角度θ为电气角。

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