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这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。原理简介首先放大晶体直径到工艺要求的大小。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚。具有自主知识产权 JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。

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也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调，线性精度大于±2%。生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时。热裂缝主要是在1250度以上产生的高温裂缝，奥氏体不锈钢比奥氏体-铁元素体不锈钢更易产生，奥氏体不锈钢在状态图中液相线和固相线间距大，既凝固过程有较大的温度范围，使低熔点偏析严重而集中于晶间处，此外，奥氏体不锈钢的膨胀系数大，冷却收缩时候应力大，也容易产生热裂缝。通过选择适当的不锈钢材料和焊丝，恰当的焊接工艺和焊后，可以提高单晶炉炉室壳体的抗腐蚀性能，改善密闭性，从而对提高整台单晶炉设备的可靠性起到关重要的作用。