二是铝消费总体较为平稳，但房地产等领域对铝消费拉动有所减弱，铝材出口下滑，铝库存维持高位。前11个月，房屋施工面积同比增长3.1%，新工面积同比增长6.9%，增速分别0.2个和1.3个百分点，但房地产投资增速自三季度以来出现回落；电网工程完成投资额较上年同期也出现了2.2%的下降。

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　　同时逐渐钻研和废旧物资的二次与综合应用，完成就地资源化，进一步进步应用程度，为创立适宜社会市场经济特征的再生资源应用体系打下基础。,对于这一轮废品价格的下跌，老王表示并不清楚个中缘由。他称，听说是经济形势不好，也影响了废品价格。线性变换原理线性变换原理.线性变换的原理很简单，比如说，在工程测量中，常会遇到4-20mA的传感器，如压力传感器或位移传感器等，要转换为0-50MPa的物理量。用高中学过的直线方程两点式就可以了。已知两点（4，0）和（20，50），求（x,y）。线性变换子程序以下介绍线性变换的子程序编写。新建一个功能块（如FC30）,在FC30中编写线性变换子程序。如.1所示为线性转化子程序输入变量。，为了便于使用，输入变量的数据类型都定义为浮点数。场效应分类：场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极、集电极、发射极。场效应管的S极与晶体管的e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。交流电的过零点检测方案较多，目前较常见的也是我之前所使用的方案如所示：交流电光耦过零检测电路的电路可以检测到交流电经过零点的时间，但是它存在诸多的弊端，现列举如下：电阻消耗功率太大，发热较多。220V交流电，按照有效值进行计算三个47 mw。对于0805的贴片电阻按照1/8w的功率计算，当前的消耗功率接近其额定功率，电阻发热大较大。