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其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8xl03Pa0.9xl03Pa，氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经氩气输入管输入的氩气气压为0.8x103pa0.9xl03Pa且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。

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以及提拉系统不平衡校正的方法。结合单晶炉提拉系统实际结构，进行了系统UG三维实体建模，动平衡数学建模，计算以及提拉系统动平衡配平工作。系统动平衡分析，计算的结果明，提拉系统配平效果即动平衡效果是比较好的。随后，针对某型号单晶炉提拉系统的实际结构，进行了提拉系统理论静不平衡量的大小，相位计算。挥发物沉积，挥发物主要指钼、钨、熔体及其中的杂质等。挥发物的沉积在晶体生长过程中无法避免，主要沉积在上保温屏、锅盖及加热器处，由于挥发物的存在，在晶体生长初始阶段，需要更高的加热功率；而晶体生长后期，挥发物使得炉体内的保温效果好，同样加热功率下，温度会升高，因此，为获得同样的晶体质量，则需要更大的功率降幅。