松阳应急发电车400KW--【中动电力】
另外，SSR的性质还与接通时的电流上升率di/dt密切相关。di/dt超过某一值会使SSR的可控硅输出器件损坏。为避免上述浪涌电流对SSR的损坏，可不同程度的降额使用SSR，必要时，可在负载电路中串联电阻，将浪涌电流和可能发生的短路电流限制在SSR所允许的过负载范围内，也可利用快速熔断的丝来保护SSR。对于SSR，特别对交流SSR，电压指数上升率是一个重要参数。这是因为当SSR关断时，若输出端电压上升率超过SSR规定的dv/dt，可能使SSR误接通，严重时会造成SSR的损坏一般SSR规定的dv/dt为100v/us，也有的达200v/us。


如有可能，接100uF以上的更好。原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pF的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1~10pF的但电容。对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如RAM、ROM存储器件，应在芯片的电源线和地线之间直接接入退藕电容。电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应注意以下两点：在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时，操作它们时均会产生较大火花放电，使用RC电路来吸收放电电流。