提拉式长晶炉泰州姜堰plc编程维修/保养电气原理用图形符号，文字符号，项目代号等表示电路各个电气元件之间的关系和工作原理的图称为电气原理图。电气原理图结构简单，层次分明，适用于研究和分析电路工作原理，并可为寻找故障帮助，同时也是编制电气接线图的依据，因此在设计部门和生产现场得到广泛应用。以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池，集成电路所需要的高品质硅单晶。单晶炉主机系统包括：底座立柱，坩埚驱动装置，主炉室，翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构，液压驱动装置，真空系统，充气系统及水冷系统。炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室启时由液压传动装置实现上移。炉室和副炉室之间。TD-800型软轴提拉型单晶炉设有浮动式翻板阀室。是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。

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主机部分：机架单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。