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结合硅单晶过程中热质输运的分析，采用实验和数值分析相结合的方法，以大直径硅单晶为主要研究对象，研究热场结构，控制参数和外加磁场对大直径硅单晶生长的影响。通过数值分析的手段，研究了结构参数和控制参数对晶体生长特性的影响，确定了晶体的工艺条件。

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试验所用的原料为2202工业硅，试验中先启机械泵，抽真空10pa后扩散泵将真空炉抽高真空，然后启动晶闸管中频电源，按一定的升温曲线逐步升高感应器工作电压，以避免因功率过大造成炉温突然急剧升高，导致短期内炉内大量放气而使得真空度显着下降。待工业硅熔化后用双 ，用机械手将熔融硅浇注到定向凝固坩埚内，利用保温炉侧向散热，通水强制冷却底模实现定向凝固。将硅锭沿纵截面切割，样品经研磨抛光后，用20%的NaOH溶液腐蚀20min，采用MEF-3高温金相显微镜观察显微组织，样品取样后使用Optima2000DV电感耦合等离子发射光谱仪进行纯度分析。特点编辑HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动，便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计，提高稳定性。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。