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然后从该炉上端充入氩气。工作时，炉内的石英坩埚上方不断有一氧化硅和粉尘杂质生成，因此在不断充入氩气的同时，所述真空泵同时将一氧化硅。由设于排气口13上的真空泵将炉内空气排尽在该炉工作前粉尘杂质与氩气等的混合气体排出然后经图6中的气流导向装置20的一对通气孔2-3由于该炉的排气口13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器7和坩埚支持器14等石墨器件的腐蚀。以提高排气效果。所述气流导向装置20由石墨制成，石墨具有强度高，抗热震性好，耐高温，抗氧化，电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。影响排气效果。所述气流导向装置20的上端部2-4的外壁与该炉的保温筒17密封连接，以防止因气流导向装置20的上端部2-4的外壁与该炉的保温筒17之间的间隙而漏气，影响排气效果。
也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。再由齿轮齿条机构带动的。在单晶炉中，要求提拉单晶硅的提拉杆不仅能以某一期望线速度V向上(下)运动，而且当提拉负载增大引起线速度为零时，提拉杆能保持其后位置而不上下滑动。对晶体的提拉速度有十分严格的要求，从某种程度上讲提拉速度的控制好坏将直接影响到晶体的质量。对单晶硅生产过程中的提拉速度控制系统进行研究有实际意义。对提拉控制系统提出的主要技术指标是，提拉速度在0.2～10.0mm/h范围之内实现无级可调，线性精度大于±2%。生产集成电路所需要的单晶硅，是在硅结晶生长始时。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，