二手长晶炉设备江阴plc编程每台多少钱这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。原理简介首先放大晶体直径到工艺要求的大小。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚。具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。这是单晶炉和拉晶工艺。为了配合di76．Zmm器件生产线的发展，我所研制了国内台15～30公斤的DL。78型单晶炉［‘］，并在该单晶炉上研究了48Omm硅单晶的控制工艺［‘］。在控制大直径硅单晶的过程中，涉及的面比较广，尤其是从我国原有1公斤，th3orum级的基础上跳跃到12公斤，680mm硅单晶的拉制工艺，需要研究讨论的问题很多，例如，热场的设计。

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