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加热后工件随炉冷却 C． 井式炉 D． 罩式炉（主要用于退火，加热罩可吊移）　E． 底升式罩式炉（罩子固定，升降底座，适用于大型炉子）F． 转筒式炉 G． 密封箱式炉（又称为多用炉，可进行渗碳，光洁淬火，碳氮共渗等热工艺。采用辐射管加热，辐射管是由耐火陶瓷盘固定的电阻丝装于一个密封耐热钢管中。用作退火之用周期式电阻炉的分类A． 箱式炉 B． 台车炉（分为自行式和牵引式）这样的结构使炉内气氛对加热元件不会有影响）。

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新型材料及粉体材料的真空或气氛条件下的热工艺。也用于冶金，机械，轻工，商检，高等院校及科研部门，工矿企业电子陶瓷产品的预烧，烧结，钎焊等工艺。主要功能和特点：1。采用智能化控温系统，移相触发，可控硅控制，炉采用氧化铝多晶纤维材料，保温效果好，双层壳体结构，带有风冷和水冷系统，能快速降温，炉门配有循环水冷，防止密封圈过快老化。产品介绍：SG-XQL1400型箱式真空气氛炉以 硅碳棒为加热元件保炉门与炉胆的可靠密封。主要用途和适用范围\可应用于电子元器件加热元件采用 硅碳棒操作安全可靠可选配通过触摸屏操作的方式对真空系统，充气系统，温控系统进行程序控制，操作简单方便， 无误。坩埚驱动装置，主炉室，翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构，液压驱动装置，真空系统，充气系统及水冷系统。与氩 气输入管12相连通的环形气体分布器11，其特征在于经氩气输入管12 输入的氩气气压为0. 8 x 103Pa0. 9 x 103Pa，氩气流量为30L/min。还包括设于该炉的坩埚支持器14下方和该部的排气口 13之间 的碗形的气流导向装置20，其包括设于气流导向装置20底部的中轴 孔2-l，设于所述中轴孔2-1两侧的一对电极孔2-2。本实施例的直拉式单晶生长炉包括氩气输入管12为现有技术的切克劳斯基(直拉)法硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的氩气输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。具体实施方式以及设于所述中轴孔 2-1两侧并与该炉的排气口 13相对的通气孔2-3，该炉的石墨中轴21穿过所述气流导向装置20的中轴孔2-1，该炉的一对电极柱15分别穿过所述电 极孔2-2，该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通，气 流导向装置20的上端部2-4设于该炉的保温筒17与发热体16之间。