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并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。因此，在向单晶炉内不断充入氩气 的同时，还必须用真空泵将混合气体排出炉外，在排气时，混合气体流经 炉中的加热器，坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大。

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电源频率：50HZ3，电源相数：3相3线制4，变压器容量：190KVA5，加热器大加热功率：160KW6，高加热温度：1600℃7。电源电压：380VAC±5%2提拉式单晶炉技术参数1加热器高加热电压：60V8。尤其是坩埚支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出，热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时，充气气压为1.3x103pa。在向单晶炉内不断充入氩气的同时，还必须用真空泵将混合气体排出炉外，在排气时，混合气体流经炉中的加热器，坩埚支持器等处，后经过炉下端的排气口排出。并与炉内生成的一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石墨制成，一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器件上。变压器。SCR在关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取代。关电源的发展方向是高频，高可靠，低耗，低噪声，抗干扰和模块化。由于关电源轻，小，薄的关键技术是高频化，因此国外各大关电源商都致力于同步发新型高智能化的元器件，特别是改善二次整流器件的损耗，并在率铁氧体材料上加大科技创新。IGBT和MOSFET关电源中应用的电力电子器件主要为二极管以提高在高频率和较大磁通密度（Bs)下获得高的磁性能，而电容器的小型化也是一项关键技术。