目前用得较多的有三端集成稳压器，有输出正电压的CW7800系列和输出负电压的CW7900系列等产品。输出电流从0.1A～3A，输出电压 V等多种。这种集成稳压器只有三个端子，稳压电路的所有部分包括大功率调整管以及保护电路等都已集成在芯片内。使用时只要加上散热片后接到整流滤波电路后面就行了。外围元件少，稳压精度高，工作可靠，一般不需调试。图4（e）是一个三端稳压器电路。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

湖北武汉光伏板（ /动态）光伏板发电电缆
/1KV②多芯绞合型分支电缆规格表示法：同一回路电缆根数标称截面，0.6 电缆规格型号说明型号名称用途BX（BLX）BXF（BLXF）BXR铜（铝）芯橡皮绝缘线铜（铝）芯氯丁橡皮绝缘线铜芯橡皮绝缘软线V及以下的电气设备及照明装置之用注：B（B）——个字母表示布线，第二个字母表示玻璃丝编制。V（V）——个字母表示聚氯乙（塑料）绝缘，第二个字母表示聚氯乙护套。L（L）——铝，无L则表示铜F（F）——复合型R——软线S——双绞X——绝缘橡胶ZR——阻燃（阻燃等级分为ABC，A为，ZR在没有说明的情况通常表示C级。

（齿槽）转矩特性测量法转子使用 磁铁的步进电机，定子线圈没有通电流时，转子如旋转也会产生转矩。此时， 磁铁产生的转矩称为齿槽转矩或转矩。此转矩用感应计和编码器方法测量，但齿槽转矩只有静态转矩的10%，所以要改变转矩计的测量范围。为得到准确的测量数据，步进电机、编码器、转矩传感器的同轴度要好，考虑使用可拆卸的连轴器，要注意不要产生摩擦转矩。上两转矩特性图为被试步进电机的静态转矩特性，由于其齿槽转矩过小，静态转矩与齿槽转矩如同时表示，则齿槽转矩对θ、τ的影响很不明显。每次测量前必须调零，换欧姆挡后也要调零。被测电阻不能带电，若电路有电容器，应先将电容器放电。c。测大电阻时，不能用手接触导电部分，否则会给汲J量结杲带来严重误差。d。万用表的电流是从“—”端流出的，即“—”端为内附电池的正极，“＋”端为内附电池的负极。e。测晶体管电阻时应将测量量程放在R×100或R×1k挡。若用R×1或R×10挡测量可能会烧坏晶体管，若用R×10k挡测量，则有可能会击穿晶体管。对于79号参数要设成1，即PU操作模式。注：以 频器上要设定上述通讯参数，首先要将Pr.160设成0。对于S500系列变频器(带R)的相关参数设置如下：参数号名称设定值说明n1站号0设定变频器站号为0n2通讯速率96设定波特率为9600bpsn3停止位长/数据位长11设定停止位2位，数据位7位n4奇偶校验有/无2设定为偶校验n5通讯再试次数---即使发生通讯错误，变频器也不停止n6通讯校验时间间隔---通讯校验终止n7等待时间设定---用通讯数据设定n8运行指令权0指令权在计算机n9速度指令权0指令权在计算机n10联网启动模式选择1用计算机联网运行模式启动n11CR，LF有/无选择0选择无CR，LF对于79号参数设成0即可。在自动化控制项目中，经常会遇到分布在不同地方的plc之间需要进行远程通讯，实现控制，常规方式是采取现场拉线的方式。但有时由于现场条件的限制，布设通讯线路很不方便，山上与山下，或者横跨马路的情况，尤其对于工程改造项目二次布线可能会要影响到已有设备运行，甲方可能应为停运造成经济损失。无线通讯方式可以很好的弥补这些不足。现在市场上有很多plc无线DTU产品，这种无线传输方式基本上是点对点透传，两台plc之间直接通讯没有问题，或则一主对多从也可以，但是无法解决从机之间的互相通讯，且普通市面透传模块效率低，无法实现PPI,MPI之类的要求实时响应的通讯协议。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。