1为什么要使用星三角降压启动？星三角降压启动原理？2画出星三角降压启动的主电路和控制电路并讲清它的运行步骤。那我们这位朋友是怎么回答的，有什么特别的，为何受应聘这么器重？来看一下他的。答：因为电机直接启动时电流过大，所以使用星三角降压启动，星形启动时转速是三角运行的三分之一，以降低启动时对电网以及电机的冲击拉低损坏，对于15KW以上的电机拖动重负载而使用的一种 为常用的启动控制线路。星三角降压启动原理为，电机启动时，将定子绕组接成星形，以降低各相绕组的电压，三相W2\U2\V2进行短接，其实把它看为一点，（也就是我们所说的中性点）启动时每个绕组上的相电压为220V。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

浙江衢州积压电缆#废旧电缆（ /资讯）废旧电缆
逐渐损害电缆的绝缘强度而造成故障。化学腐蚀。电缆直接埋在有酸碱作用的地区，往往会造成电缆的铠装、铅皮或外护层被腐蚀，保护层因长期遭受化学腐蚀或电解腐蚀，致使保护层失效，绝缘降低，也会导致电缆故障。化：单位的电缆腐蚀情况就相当严重。长期过负荷运行。超负荷运行，由于电流的热效应，负载电流通过电缆时必然导致导体发热，同时电荷的集肤效应以及钢铠的涡流损耗、绝缘介质损耗也会产乍附加热量，从而使电缆温度升高。长期超负荷运行时，过高的温度会加速绝缘的老化，以至绝缘被击穿。尤其在炎热的夏季，电缆的温升常常导致电缆绝缘薄弱处首先被击穿。因此在夏季，电缆的故障也就特别多。电缆接头故障。电缆接头是电缆线路中弱的环节。

单路232通信电路：三线方式，与上面的三级管搭的完全等效。USB转232电路：采用的是PL2303HX,价格便宜，稳定性还不错。SP706S复位电路：带看门和手动复位，价格便宜（美信的贵很多），R4为调，调试完后焊接好R4。SD卡模块电路（带锁）：本电路与SD卡的封装有关，注意与封装对应。此电路可以通过端口控制SD卡的电源，比较完善，可以用于5V和3.3V。但是要注意，有些器件的使用，5V和3.3是不一样的。再看控制电路：步按下启动按钮SB2，主交流接触器KM星型交流接触器KM3和时间继电器（或者延时继电器）KT线圈得电。得电后主电路KM1接通，KM3运行互锁切断三角形接法KM2不能运行，只能启动运行星型接法KM3,延时继电器KT运行始计时。运行一段时间后，KT计时到点后切断KM3星型，使KM3断电，KM3断电后接通互锁KM2线圈得电三角运行。KM2三角得电后，切断互锁的KT和星型的KM3线圈电源，保持主电路KM1和KM2三角形线圈吸合电路长期运行。PID自整定步骤步：在PID向导中完成PID功能配置（要想使用PID自整定功能，PID编程必须用PID向导来完成）。第二步：打PID调节控制面板，设置PID回路调节参数；在Micro/WINSMART在线的情况下，从主菜单工具中点击“PID控制面板”工具，进入PID调节控制面板中。在PID调节面板的h.区查看已选择的PID回路号，在e.区启动手动调节，调节PID参数并点击更新，使新参数值起作用，监视其趋势图，根据调节状况改变PID参数直至调节稳定。也可以通过指令树的项目进入子程序SUB0显示区。添加一个子程序时，可以用编辑菜单的插入项增加一个子程序，子程序编号n从0始自动向上生成。用鼠标右键点击指令树中的子程序或中断程序的图标，在出的菜单中选择“重新命名”，可以修改它们的名称。子程序可能有要传递的参数（变量和数据），这时可以在子程序调用指令中包含相应参数，它可以在子程序与调用程序之间传送。参数（变量和数据）必须有符号名（ 多8个字符）、变量和数据类型等内容。器(CPU)：刚跟大家讲过，需要提醒的是MCS-51的CPU能8位二进制数或代码。CPU是单片机的主要核心部件，在CPU里面包含了运算器、控制器以及若干寄存器等部件给成。内部数据存储器(RAM)：MCS-51单片机芯片共有256个RAM单元，其中后128单元被专用寄存器占用(稍后我们详解)，能作为寄存器供用户使用的只是前128单元，用于存放可读写的数据。因此通常所说的内部数据存储器就是指前128单元，简称内部RAM。