溧阳发电车300KW--【中动电力】
主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。


上式为 磁铁激磁的步进电机产生的电磁转矩，因此有下面的公式：E0=NdΦ/dtθ=ωtω=Nrωm式中，Φ为交链磁通，θ为转子转动角，ω为电气角速度，N为相线圈匝数。E0=NdΦ/dt由法拉第定律得来。θ=ωt为机械角与电气角的关系式，把上式代入到T=E0I/ωm可得：T=E0I/ωm=N(dΦ/dt)I/ωm=N(dΦ/dθ)(dθ/dt)I/ωm=N(ω/ωm)(dΦ/dθ)I(dΦ/dθ)=NNrI(dΦ/dθ)步进电机的转矩由永磁体产生的交链磁通变化率与流过线圈电流之积产生为感应电动势，图表示如下：将此E0代入T=E0I/ωm，单相转矩变为下式：T1=2NIBLr依据图， 磁铁激磁的步进电机转矩公式为（T1=2NIBLr），当Nr=1时，转矩公式与直流电机的转矩公式（T=2NIBLr）相同，直流电机的气隙磁通B，相当于步进电机的交链磁通的有效当量部分总和。