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发布:2024/5/11 3:30:47 来源:13335093736

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在这段期间,IR基本上保持不变,主要由VR和RL所决定。经过时间ts后P区和N区所存储的电荷已显着减小,势垒区逐渐变宽,反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值,经过时间tt,二极管转为截止。由上可知,二极管在关转换过程中出现的反向恢复过程,实质上由于电荷存储效应引起的,反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。二极管和一般关的不同在于,“”与“关”由所加电压的极性决定,而且“”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流i0。


对于如何设计高频增强电路与低通滤波器电路,我们仍然以共发射极发大电路为例。首先,说一下低通滤波器电路我们考虑一下在共发射极放大电路的集电极并联电容的作用。低通滤波电路如上图所示,此电路时截止频率为1KHz的低通滤波电路。改电路具有将1KHz频率以上的高频截止功能。这是因为集电极电阻具有频率特性,所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高,因为电容的影响,导致电容与电阻并联的阻抗也就越小,所以电路的增益Rc/Re也就越小。

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