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使用同一个定子，当一相RM绕组通电时，其交链的磁通相当于hb的三相绕组的磁通。当三相RM型步进电机的转子由外部转矩驱动时，其相绕组的感应电压的波形如下图所示，RM型的电压波形接近正弦波，从而推出磁通的波形也是正弦波；相对的HB型电压波形与RM型比较略有畸变。其次，从RM型步进电机细分驱动效果看，下图为RM型步进电机进行步距角细分（10倍）与HB型步进电机的角度精度的比较，RM型步进电机经过细分控制的角度线性精度好于HB型步进电机。


我们知道,单片机外部输入的中断触发电平是TTL电平。对于TTL电平，TTL逻辑门输出高电平的允许范围为2.4~5V，其标称值为3.6V；输出低电平的允许范围为0~0.7V，其标称值为0.3V，在0.7V与2.4V之间的是非高非低的中间电平。这样，在实际应用中，设单片机外部中断引脚INT0输入一路由＋5V下降到0V的下降沿信号，单片机在某个时钟周期采样INT0引脚得到2.4V的高电平；而在下一个时钟周期到来进行采样时，由于实际的外部输入中断触发信号由高电平变为低电平往往需要一定的时间，检测到的可能并非真正的低电平（小于0.7V），而是处于低电平与高电平之间的某一中间电平，即0.7~2.4V的某一电平。